IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

NEW
Код: IPD068P03
Артикул: 123847
Производитель: HXY
  2475 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней 
Минимальное количество для заказа: 23
61.19р.
Оплата
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

IPD068P03L3G N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.8 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-12 А), заряд затвора 45 нКл.

Отзывы о IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

0
5 star-y-icon.svg
0
4 star-y-icon.svg
0
3 star-y-icon.svg
0
2 star-y-icon.svg
0
1 star-y-icon.svg
0

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)

Нет вопросов об этом товаре.
icon_teleg icon_email