Описание 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363
2N7002DW - сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток (Vds) 60 Вольт, максимальный ток стока (Id) 0.115 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А).
Отзывы о 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363
0
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Нет отзывов о данном товаре.
Написать отзыв
Вопросы и ответы (FAQ) 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363