Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
2200 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Минимальное количество для заказа: 50
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY80N06D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКлОтзывы о HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
Нет вопросов об этом товаре.
