HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)

NEW
Код: HXY80N03D
Артикул: 124793
Производитель: HXY
  7495 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней 
Минимальное количество для заказа: 119
11.80р.
Оплата
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)

HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.

Отзывы о HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)

0
5 star-y-icon.svg
0
4 star-y-icon.svg
0
3 star-y-icon.svg
0
2 star-y-icon.svg
0
1 star-y-icon.svg
0

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)

Нет вопросов об этом товаре.
icon_teleg icon_email