MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126

NEW
Код: MJE350G
Артикул: 120813
Производитель: JSMSEMI
  2016 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней 
Минимальное количество для заказа: 48
29.54р.
Оплата
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126

MJE350G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -300 В, коэффициент усиления hFE 30 ... 240. Комплементарная пара: MJE340G

Отзывы о MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126

0
5 star-y-icon.svg
0
4 star-y-icon.svg
0
3 star-y-icon.svg
0
2 star-y-icon.svg
0
1 star-y-icon.svg
0

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126

Нет вопросов об этом товаре.
icon_teleg icon_email