Описание MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126
MJE350G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -300 В, коэффициент усиления hFE 30 ... 240. Комплементарная пара: MJE340G
Отзывы о MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) MJE350G JSMSEMI биполярный транзистор PNP, -300 В, -0.5 А, TO-126
Нет вопросов об этом товаре.