Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
1500 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Минимальное количество для заказа: 27
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
IRF530NS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А). Входная ёмкость 1331 пФ. Заряд затвора 53 нКл.Отзывы о IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
Нет вопросов об этом товаре.
