2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

NEW
Код: 2N7002DW
Артикул: 124223
Производитель: HXY
  12000 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней 
Минимальное количество для заказа: 447
3.14р.
Оплата
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

2N7002DW - сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток (Vds) 60 Вольт, максимальный ток стока (Id) 0.115 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А).

Отзывы о 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

0
5 star-y-icon.svg
0
4 star-y-icon.svg
0
3 star-y-icon.svg
0
2 star-y-icon.svg
0
1 star-y-icon.svg
0

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

Нет вопросов об этом товаре.
icon_teleg icon_email