1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

NEW
Код: 1N60G
Артикул: 124226
Производитель: HXY
  3750 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней 
Минимальное количество для заказа: 163
8.60р.
Оплата
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

1N60G - N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 600 Вольт, максимальный ток стока 1 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.6 А). Входная ёмкость 119 пФ. Заряд затвора 4 нКл

Отзывы о 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

0
5 star-y-icon.svg
0
4 star-y-icon.svg
0
3 star-y-icon.svg
0
2 star-y-icon.svg
0
1 star-y-icon.svg
0

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

Нет вопросов об этом товаре.
icon_teleg icon_email