Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
920 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Минимальное количество для заказа: 42
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, TO-220
IRF7807ZTRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.Отзывы о IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, TO-220
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, TO-220
Нет вопросов об этом товаре.
