Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
2498 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Минимальное количество для заказа: 23
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.Отзывы о IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
Нет вопросов об этом товаре.
