Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Код: MJD122T4
Артикул: 119801
Производитель: ST Microelectronics
1785 шт. со склада г.Москва, срок 3–5 дней
Минимальное количество для заказа: 22
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.Отзывы о MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)
Нет вопросов об этом товаре.
