+7 909 287 71-72
+7 909 287 71-72
звонки бесплатные
Сравнение
Закладки
Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)

Биполярные (BJTs)

HXY80N03D
NEW
HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
В наличии
HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
11.80р.
HXY80N06D
NEW
HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
В наличии
HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK)
28.13р.
IKA10N60TXKSA1
NEW
IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
В наличии
IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack
141.76р.
IKP40N65H5XKSA1
NEW
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
В наличии
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
545.19р.
IKW50N60DTPXKSA1
NEW
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
В наличии
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
356.55р.
IKW50N60H3FKSA1
NEW
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
В наличии
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3
337.76р.
IKW50N65ES5XKSA1
NEW
IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
В наличии
IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
505.55р.
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
NEW
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
В наличии
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
298.23р.
IPD068P03
NEW
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
В наличии
IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK)
61.19р.
IRF1404Z
NEW
IRF1404Z JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 230 А, 2.3 мОм, TO-220
В наличии
IRF1404Z JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 230 А, 2.3 мОм, TO-220
52.98р.
IRF1404ZPBF TO-220 (RP)
NEW
IRF1404ZPBF TO-220 (RP)
В наличии
IRF1404ZPBF TO-220 (RP)
89.49р.
IRF3205S
NEW
IRF3205S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 110 А, TO-263 (D2PAK)
В наличии
IRF3205S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 110 А, TO-263 (D2PAK)
55.69р.
IRF3205Z
NEW
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
В наличии
IRF3205ZPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 85 А, 8.5 мОм, TO-220
77.24р.
IRF3415
NEW
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
В наличии
IRF3415PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 40 А, 60 мОм, TO-220
107.73р.
IRF530N
NEW
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
В наличии
IRF530N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, TO-220
30.32р.

icon_teleg icon_email