Биполярные (BJTs)

ES15N10G
NEW
ES15N10G Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 12 А, 85 мОм, TO-252 (DPAK)
ESGNU04R02
NEW
ESGNU04R02 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 140 А, 1.65 мОм, TO-220
ESNQ06R10
NEW
ESNQ06R10 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 58 А, 7.5 мОм, TO-252 (DPAK)
ESNU06R10
NEW
ESNU06R10 Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 58 А, 7.5 мОм, TO-220
FDN86246
NEW
FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-23
FDV301N (Elecsuper)
NEW
FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм, SOT-23
FF300R12KS4HOSA1
NEW
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Module
В наличии
20 275.58 ₽
FMMT591
NEW
FMMT591 SLKOR Биполярный транзистор PNP, -60 В, -1 А, SOT-23
В наличии
4.05 ₽
FQD7N20LTM
NEW
FQD7N20LTM JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 200 В, 9 А, 300 мОм, TO-252   (DPAK)
HXY5N50D
NEW
HXY5N50D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY60N02D
NEW
HXY60N02D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 60 А, 6 мОм, 27 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY60N03D
NEW
HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY7N65D
NEW
HXY7N65D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPAK)

icon_teleg icon_email