8-909-287-71-72
8-909-287-71-72
звонки бесплатны
Сравнение
Закладки
Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)

Транзисторы разные

BSS84
New
BSS84 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -50 В, -0.13 А, 2 Ом, SOT-23
BSS84 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -50 В, -0.13 А, 2 Ом, SOT-23
В наличии
BSS84 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -50 В, -0.13 А, 2 Ом, SOT-23
1.34р.
BTS4141NHUMA1
New
BTS4141NHUMA1, силовой интеллектуальный ключ верхнего плеча Infineon Technologies, 1 выход, 0.7 А, 0.15 Ом, корпус SOT-223-4
BTS4141NHUMA1, силовой интеллектуальный ключ верхнего плеча Infineon Technologies, 1 выход, 0.7 А, 0.15 Ом, корпус SOT-223-4
В наличии
BTS4141NHUMA1, силовой интеллектуальный ключ верхнего плеча Infineon Technologies, 1 выход, 0.7 А, 0.15 Ом, корпус SOT-223-4
289.58р.
BTS740S2XUMA1
New
BTS740S2XUMA1, Интеллектуальный ключ Infineon Technologies, PROFET, 2-канала (каждый 5.5А 30мОм), корпус SOIC-20
BTS740S2XUMA1, Интеллектуальный ключ Infineon Technologies, PROFET, 2-канала (каждый 5.5А 30мОм), корпус SOIC-20
В наличии
BTS740S2XUMA1, Интеллектуальный ключ Infineon Technologies, PROFET, 2-канала (каждый 5.5А 30мОм), корпус SOIC-20
513.22р.
FDN338P
New
FDN338P JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23
FDN338P JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23
В наличии
FDN338P JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23
5.94р.
FGH40N60SMD
New
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
В наличии
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
508.03р.
FGH60N60SMD
New
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
В наличии
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
518.28р.
FQP50N06
New
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220
В наличии
FQP50N06 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 22 мОм, TO-220
26.88р.
IKA10N60TXKSA1
New
IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies
IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies
В наличии
IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies
119.54р.
IKW25N120H3FKSA1
New
IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
В наличии
IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3
318.43р.
IKW40N65ES5XKSA1
New
IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор Infineon Technologies, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, корпус TO-247
IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор Infineon Technologies, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, корпус TO-247
В наличии
IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор Infineon Technologies, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, корпус TO-247
281.80р.
IKW50N65ES5XKSA1
New
IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
В наличии
IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
420.58р.
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
New
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
В наличии
IPB107N20N3G TO263-3 (RP)
277.49р.
IPB107N20N3GATMA1
New
IPB107N20N3GATMA1, транзистор полевой кремниевый N-канальный 200В 88A 300Вт Infineon Technologies
IPB107N20N3GATMA1, транзистор полевой кремниевый N-канальный 200В 88A 300Вт Infineon Technologies
В наличии
IPB107N20N3GATMA1, транзистор полевой кремниевый N-канальный 200В 88A 300Вт Infineon Technologies
408.96р.
IPD122N10N3GATMA1
New
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3
В наличии
IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3
112.27р.
IPD70R900P7SAUMA1
New
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3
В наличии
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3
45.11р.

icon_viber icon_teleg icon_callback icon_email icon_mes icon_skype