1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

Name: 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223
Brand: HXY
SKU: 124226
Price: 7.27 RUB
Availability: InStock

NEW

Код: 1N60G

Артикул: 124226

Производитель: HXY

В наличии 3850

Минимальное количество для заказа: 193

7.27р.

Нашли дешевле ?

Оплата

Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard

Гарантия

Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней

Доставка

Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика по России 1 - 7 дней
Самовывоз

Описание 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

1N60G - N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 600 Вольт, максимальный ток стока 1 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.6 А). Входная ёмкость 119 пФ. Заряд затвора 4 нКл

Отзывы о 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

Нет отзывов о данном товаре.

Вопросы и ответы (FAQ) 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

Нет вопросов об этом товаре.

7.27р.