Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.Отзывы о HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK)
Нет вопросов об этом товаре.
