Корзина
Ваша корзина пуста!
Это никогда не поздно исправить :)
Оплата
Наличные
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Безналичный расчет для юридических лиц с НДС
Visa/MasterCard
Гарантия
Гарантия 12 месяцев
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Обмен/возврат товара в течении 14 дней
Доставка
Стоимость доставки согласно тарифам перевозчика
по России 1 - 7 дней
Самовывоз
Самовывоз
Описание MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.Отзывы о MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
5
4
3
2
1
Нет отзывов о данном товаре.
Вопросы и ответы (FAQ) MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)
Нет вопросов об этом товаре.
